三星先行台积电，将在下周量产3nm工艺

在只不过的几个月里，松下的晶圆厂商业务一直都处于风暴的中心，来年也首先谣传松下电子人事变动绝对针对半导体工艺技术的相关调差，接着又踢爆员工告密者事件，总之松下近来的热度显然了。

近来松下的负责人赶往欧洲，其中一项日程就是赶往ASML，商讨双方未来的合作，希望并能获得更多的极紫外光刻机，根据韩媒刊文，预计松下将不会在下周宣布3nm工艺技术量产，在新一代MOS工艺技术的生产时间上抢先于DRAM。

松下将在3nmMOS路由表加进了同类型新的GAAFET同类型环绕灯丝晶体管工艺技术，与现有的FinFET比起，可实现30%的耐用性增加、50%的功耗增高、以及减少45%的面积。比起之下，DRAM的N3MOS路由表仍将使用FinFET，不过不会加进FINFLEX系统设计。

松下也是但他却要投入更多的财力用于先进半导体系统设计的研发，以此来求数年内并能赶超DRAM。